SQ3419EV-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
NOVA部品番号:
312-2281113-SQ3419EV-T1_GE3
製造メーカー部品番号:
SQ3419EV-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:

P-Channel 40 V 6.9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Vishay Siliconix
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
基本製品番号 SQ3419
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 58mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 11.3 nC @ 4.5 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (最大)±20V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 990 pF @ 20 V
消費電力(最大) 5W (Tc)
その他の名前SQ3419EV-T1-GE3
SQ3419EV-T1_GE3TR
SQ3419EV-T1_GE3DKR
SQ3419EV-T1_GE3CT
SQ3419EV-T1_GE3-ND

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