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IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
NOVA部品番号:
312-2280929-IRF5803TRPBF
製造メーカー部品番号:
IRF5803TRPBF
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) | |
| 基本製品番号 | IRF5803 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1110 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2W (Ta) | |
| その他の名前 | IRF5803TRPBFTR IRF5803TRPBFDKR IRF5803TRPBFCT SP001564566 IRF5803TRPBF-ND |
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