N-Channel 1700 V 21A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247-3
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
基本製品番号 | G3R160 | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | G3R™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 21A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 208mOhm @ 12A, 15V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.7V @ 5mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 51 nC @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
Vgs (最大) | ±15V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1700 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1272 pF @ 1000 V | |
消費電力(最大) | 175W (Tc) | |
その他の名前 | 1242-G3R160MT17D |
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