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G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
NOVA部品番号:
312-2283971-G2R50MT33K
製造メーカー部品番号:
G2R50MT33K
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
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N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | G2R™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 63A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 10mA (Typ) | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 340 nC @ 20 V | |
| FETの特徴 | Standard | |
| パッケージ・ケース | TO-247-4 | |
| Vgs (最大) | +25V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 3300 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7301 pF @ 1000 V | |
| 消費電力(最大) | 536W (Tc) | |
| その他の名前 | 1242-G2R50MT33K |
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