SISS67DN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S

NOVA部品番号:

312-2287731-SISS67DN-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SISS67DN-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 30 V 60A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8S
基本製品番号	SISS67
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen III
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	60A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	111 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (最大)	±25V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4380 pF @ 15 V
消費電力(最大)	65.8W (Tc)
その他の名前	SISS67DN-T1-GE3CT SISS67DN-T1-GE3TR SISS67DN-T1-GE3DKR