P-Channel 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8S | |
基本製品番号 | SISS65 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | TrenchFET® Gen III | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 25.9A (Ta), 94A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.6mOhm @ 15A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 138 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | PowerPAK® 1212-8S | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4930 pF @ 15 V | |
消費電力(最大) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | |
その他の名前 | SISS65DN-T1-GE3DKR SISS65DN-T1-GE3CT SISS65DN-T1-GE3TR |
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