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SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
NOVA部品番号:
312-2290537-SUD35N10-26P-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUD35N10-26P-GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
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N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| 基本製品番号 | SUD35 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 7V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2000 pF @ 12 V | |
| 消費電力(最大) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) | |
| その他の名前 | SUD35N10-26P-GE3TR SUD35N10-26P-GE3DKR SUD35N10-26P-GE3CT SUD35N1026PGE3 |
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