FDD3860

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
NOVA部品番号:
312-2287986-FDD3860
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDD3860
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:

N-Channel 100 V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元onsemi
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
基本製品番号 FDD386
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズPowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 31 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1740 pF @ 50 V
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
その他の名前FDD3860TR
2156-FDD3860-OS
FDD3860CT
FDD3860DKR
ONSONSFDD3860

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