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BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
NOVA部品番号:
312-2281368-BSP149H6327XTSA1
製造メーカー部品番号:
BSP149H6327XTSA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
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N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 | |
| 基本製品番号 | BSP149 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 400µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 430 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 1.8W (Ta) | |
| その他の名前 | SP001058818 BSP149H6327XTSA1CT BSP149H6327XTSA1DKR BSP149H6327XTSA1TR |
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