BSP322PH6327XTSA1

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MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

NOVA部品番号:

312-2263238-BSP322PH6327XTSA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

BSP322PH6327XTSA1

ひょうじゅんほうそう:

1,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-SOT223-4
基本製品番号	BSP322
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	SIPMOS®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	1A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 380µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	372 pF @ 25 V
消費電力(最大)	1.8W (Ta)
その他の名前	SP001058784 BSP322PH6327XTSA1CT BSP322PH6327XTSA1DKR BSP322PH6327XTSA1TR