N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-4-1 | |
基本製品番号 | IMZ120 | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | CoolSiC™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V, 18V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5.7V @ 3.7mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 21 nC @ 18 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-4 | |
Vgs (最大) | +23V, -7V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 707 pF @ 800 V | |
消費電力(最大) | 115W (Tc) | |
その他の名前 | SP001946182 |
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