TP65H150LSG

GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
NOVA部品番号:
312-2312403-TP65H150LSG
製造元:
製造メーカー部品番号:
TP65H150LSG
ひょうじゅんほうそう:
60
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

N-Channel 650 V 15A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Transphorm
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 3-PQFN (8x8)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 15A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4.8V @ 500µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 7.1 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケース3-PowerDFN
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 576 pF @ 400 V
消費電力(最大) 69W (Tc)
その他の名前1707-TP65H150LSG

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