EPC2105ENGRT

GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
NOVA部品番号:
303-2252787-EPC2105ENGRT
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2105ENGRT
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A - Surface Mount Die

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元EPC
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
パッケージ・ケースDie
シリーズeGaN®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 9.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 2.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 2.5nC @ 5V
FETの特徴GaNFET (Gallium Nitride)
FETタイプ2 N-Channel (Half Bridge)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)80V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 300pF @ 40V
パワー - 最大 -
その他の名前917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT

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