Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A - Surface Mount Die
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | EPC | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
パッケージ・ケース | Die | |
シリーズ | eGaN® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.5A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 2.5mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.5nC @ 5V | |
FETの特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 300pF @ 40V | |
パワー - 最大 | - | |
その他の名前 | 917-EPC2105ENGRDKR 917-EPC2105ENGRTR 917-EPC2105ENGRCT |
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