アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
EPC2105
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
NOVA部品番号:
303-2243658-EPC2105
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2105
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
| パッケージ・ケース | Die | |
| シリーズ | eGaN® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | |
| FETの特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V | |
| パワー - 最大 | - | |
| その他の名前 | 917-1185-6 917-1185-2 917-1185-1 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
