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GE12047CCA3
1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
NOVA部品番号:
303-2361080-GE12047CCA3
製造元:
製造メーカー部品番号:
GE12047CCA3
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 475A 1250W Chassis Mount -
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
| 製造元 | General Electric | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (Tc) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - | |
| パッケージ・ケース | Module | |
| シリーズ | SiC Power | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 475A | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 160mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1248nC @ 18V | |
| FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 29.3nF @ 600V | |
| パワー - 最大 | 1250W | |
| その他の名前 | 4014-GE12047CCA3 |
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