Mosfet Array 2 Independent 1200V (1.2kV) 475A 1250W Chassis Mount -
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | General Electric | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (Tc) | |
取付タイプ | Chassis Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | - | |
パッケージ・ケース | Module | |
シリーズ | SiC Power | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 475A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 160mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1248nC @ 18V | |
FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
FETタイプ | 2 Independent | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 29.3nF @ 600V | |
パワー - 最大 | 1250W | |
その他の名前 | 4014-GE12047BCA3 |
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