Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TSOT-23 | |
基本製品番号 | DMG6602 | |
パッケージ・ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.3V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 13nC @ 10V | |
FETの特徴 | Logic Level Gate, 4.5V Drive | |
FETタイプ | N and P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 400pF @ 15V | |
パワー - 最大 | 840mW | |
その他の名前 | DMG6602SVT-7DITR DMG6602SVT7 DMG6602SVT-7DICT DMG6602SVT-7DIDKR |
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