SI3590DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

NOVA部品番号:

303-2247713-SI3590DV-T1-E3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI3590DV-T1-E3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

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ワシ

キッカド

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	6-TSOP
基本製品番号	SI3590
パッケージ・ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.5A, 1.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	77mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	N and P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	-
パワー - 最大	830mW
その他の名前	SI3590DV-T1-E3CT SI3590DV-T1-E3TR SI3590DV-T1-E3DKR SI3590DVT1E3

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