Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 12-MLP (5x4.5) | |
基本製品番号 | FDMQ82 | |
パッケージ・ケース | 12-WDFN Exposed Pad | |
シリーズ | GreenBridge™ PowerTrench® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.6A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 110mOhm @ 3A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5nC @ 10V | |
FETの特徴 | Logic Level Gate | |
FETタイプ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100V, 80V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 210pF @ 50V | |
パワー - 最大 | 2.5W | |
その他の名前 | FDMQ8203TR FDMQ8203DKR FDMQ8203CT FDMQ8203-ND |
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