Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO | |
基本製品番号 | DMHC3025 | |
パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 6A, 4.2A | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25mOhm @ 5A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 11.7nC @ 10V | |
FETの特徴 | Logic Level Gate | |
FETタイプ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 590pF @ 15V | |
パワー - 最大 | 1.5W | |
その他の名前 | DMHC3025LSD-13DITR DMHC3025LSD-13DIDKR DMHC3025LSD-13DICT DMHC3025LSD13 |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。