Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 20mW (Tc) Chassis Mount AG-EASY2B
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Chassis Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | AG-EASY2B | |
パッケージ・ケース | Module | |
シリーズ | CoolSiC™+ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200A (Tj) | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5.55V @ 80mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 496nC @ 15V | |
FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 14.7nF @ 800V | |
パワー - 最大 | 20mW (Tc) | |
その他の名前 | 448-FF6MR12W2M1B70BPSA1 SP004486482 |
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