Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Chassis Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | AG-62MM | |
基本製品番号 | FF6MR12 | |
パッケージ・ケース | Module | |
シリーズ | CoolSiC™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 250A (Tc) | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.81mOhm @ 250A, 15V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5.15V @ 80mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 496nC @ 15V | |
FETの特徴 | Silicon Carbide (SiC) | |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 14700pF @ 800V | |
パワー - 最大 | - | |
その他の名前 | 448-FF6MR12KM1PHOSA1 SP002485310 |
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