IPG20N06S4L11ATMA2

MOSFET_)40V 60V)

NOVA部品番号:

303-2250200-IPG20N06S4L11ATMA2

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPG20N06S4L11ATMA2

ひょうじゅんほうそう:

5,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount, Wettable Flank
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-10
基本製品番号	IPG20N06
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 28µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	53nC @ 10V
FETの特徴	Logic Level Gate
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4020pF @ 25V
パワー - 最大	65W (Tc)
その他の名前	448-IPG20N06S4L11ATMA2TR SP001404020 448-IPG20N06S4L11ATMA2DKR 448-IPG20N06S4L11ATMA2CT

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！