BSZ100N06LS3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

NOVA partie #:

312-2280689-BSZ100N06LS3GATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

BSZ100N06LS3GATMA1

Paquet Standard:

5,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 60 V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TSDSON-8
Numéro de produit de base	BSZ100
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11A (Ta), 20A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 23µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerVDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3500 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Autres noms	BSZ100N06LS3GATMA1DKR BSZ100N06LS3GATMA1TR SP000453672 BSZ100N06LS3GATMA1CT BSZ100N06LS3GINTR-ND BSZ100N06LS3GINCT-ND BSZ100N06LS3 G BSZ100N06LS3GINDKR-ND BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3GINTR BSZ100N06LS3GINCT