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N-Channel 60 V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8 | |
Numéro de produit de base | BSZ067 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 20A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 30 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | |
Autres noms | BSZ067N06LS3G SP000451080 BSZ067N06LS3GINCT-ND BSZ067N06LS3GATMA1CT BSZ067N06LS3GATMA1DKR BSZ067N06LS3GINTR-ND BSZ067N06LS3GINCT BSZ067N06LS3GATMA1TR BSZ067N06LS3GINDKR BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GINDKR-ND BSZ067N06LS3GINTR BSZ067N06LS3GZT |
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