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N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 175°C | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | DPAK | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | U-MOSX-H | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 84A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 42A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 40 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 104W (Tc) | |
Autres noms | 264-TK5R1P08QM,RQDKR-ND 264-TK5R1P08QM,RQDKR 264-TK5R1P08QMRQDKR 264-TK5R1P08QM,RQTR TK5R1P08QM,RQ(S2 264-TK5R1P08QM,RQCT-ND 264-TK5R1P08QM,RQCT 264-TK5R1P08QMRQTR 264-TK5R1P08QM,RQTR-ND 264-TK5R1P08QMRQCT |
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