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N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3 | |
Numéro de produit de base | IPB038 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 120 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 60 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 300W (Tc) | |
Autres noms | IPB038N12N3 GTR IPB038N12N3 GCT IPB038N12N3 G IPB038N12N3G IPB038N12N3GATMA1CT IPB038N12N3 GDKR-ND IPB038N12N3 GCT-ND IPB038N12N3 GDKR IPB038N12N3 GTR-ND IPB038N12N3GATMA1DKR IPB038N12N3 G-ND IPB038N12N3GATMA1TR SP000694160 |
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