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N-Channel 150 V 155A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-HSOF-8-1 | |
Numéro de produit de base | IPT059 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 155A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 150A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerSFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 150 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 75 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 375W (Tc) | |
Autres noms | SP001100162 2156-IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1DKR IPT059N15N3ATMA1CT IPT059N15N3 IPT059N15N3ATMA1TR -IPT059N15N3ATMA1 IFEINFIPT059N15N3ATMA1 |
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