SI4467DY

P-CHANNEL POWER MOSFET
NOVA partie #:
312-2269197-SI4467DY
Pièce de fabricant non:
SI4467DY
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

P-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Fairchild Semiconductor
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 13.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 4.5 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)±8V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8237 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale) 1.2W (Ta)
Autres noms2156-SI4467DY
FAIFSCSI4467DY

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