FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
NOVA partie #:
312-2263156-FDS6575
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDS6575
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

P-Channel 20 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base FDS65
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)±8V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4951 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta)
Autres nomsONSONSFDS6575
FDS6575-ND
FDS6575TR
FDS6575CT
FDS6575DKR
2156-FDS6575-OS

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