IPD30N08S2L21ATMA1

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MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

NOVA partie #:

312-2282028-IPD30N08S2L21ATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPD30N08S2L21ATMA1

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3-11
Numéro de produit de base	IPD30N08
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	75 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1650 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	136W (Tc)
Autres noms	IPD30N08S2L21 IPD30N08S2L21ATMA1TR SP000252170 IPD30N08S2L-21-ND IPD30N08S2L-21CT IFEINFIPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L-21 IPD30N08S2L21ATMA1DKR IPD30N08S2L-21TR-ND IPD30N08S2L21ATMA1CT IPD30N08S2L-21DKR IPD30N08S2L-21DKR-ND IPD30N08S2L-21CT-ND 2156-IPD30N08S2L21ATMA1