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FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
NOVA partie #:
312-2282599-FDN5618P
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDN5618P
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 | |
| Numéro de produit de base | FDN5618 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.25A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 500mW (Ta) | |
| Autres noms | FDN5618PCT FDN5618PDKR FDN5618PTR |
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