FDB024N08BL7

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
NOVA partie #:
312-2263306-FDB024N08BL7
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDB024N08BL7
Paquet Standard:
800
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-263-7
Numéro de produit de base FDB024
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13530 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale) 246W (Tc)
Autres nomsFDB024N08BL7TR
FDB024N08BL7DKR
FDB024N08BL7CT

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