IPB019N08N3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

NOVA partie #:

312-2283558-IPB019N08N3GATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPB019N08N3GATMA1

Paquet Standard:

1,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-7
Numéro de produit de base	IPB019
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14200 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale)	300W (Tc)
Autres noms	IPB019N08N3GATMA1CT IPB019N08N3 G-ND IPB019N08N3 G Q4136793 IPB019N08N3 GCT IPB019N08N3 GTR-ND IPB019N08N3GATMA1TR SP000444110 2832-IPB019N08N3GATMA1-TR IPB019N08N3G IPB019N08N3 GCT-ND IPB019N08N3 GDKR-ND IPB019N08N3 GDKR IPB019N08N3GATMA1DKR