SI7465DP-T1-GE3

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MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

NOVA partie #:

312-2280882-SI7465DP-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI7465DP-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 60 V 3.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SI7465
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® SO-8
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.5W (Ta)
Autres noms	SI7465DP-T1-GE3CT SI7465DP-T1-GE3TR SI7465DP-T1-GE3DKR SI7465DPT1GE3