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DMN2005UFG-7
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
NOVA partie #:
312-2264965-DMN2005UFG-7
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
DMN2005UFG-7
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:
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N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 | |
| Numéro de produit de base | DMN2005 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 18.1A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 164 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6495 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.05W (Ta) | |
| Autres noms | DMN2005UFG-7DICT DMN2005UFG-7DIDKR DMN2005UFG-7DITR |
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