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N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | Micro6™(SOT23-6) | |
Numéro de produit de base | IRLMS2002 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | HEXFET® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | SOT-23-6 | |
Vg (Max) | ±12V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1310 pF @ 15 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2W (Ta) | |
Autres noms | *IRLMS2002TRPBF SP001567202 IRLMS2002PBFDKR IRLMS2002PBFCT IRLMS2002PBFTR |
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