IRLML2803TRPBF

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MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

NOVA partie #:

312-2281983-IRLML2803TRPBF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRLML2803TRPBF

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	Micro3™/SOT-23
Numéro de produit de base	IRLML2803
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	85 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	540mW (Ta)
Autres noms	IRLML2803PBFDKR IRLML2803GTRPBFCT-ND IRLML2803GTRPBFTR IRLML2803PBFTR IRLML2803GTRPBFTR-ND IRLML2803GTRPBF IRLML2803GTRPBFCT Q9456197A IRLML2803GTRPBFDKR *IRLML2803TRPBF SP001550482 IRLML2803PBFCT SP001572964 IRLML2803GTRPBFDKR-ND