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N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-252-3 | |
Numéro de produit de base | DN3765 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 300mA (Tj) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 150mA, 0V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
Fonction FET | Depletion Mode | |
Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 825 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta) | |
Autres noms | DN3765K4-GTR DN3765K4-GDKR DN3765K4-GCT DN3765K4-G-ND |
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