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N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 | |
Numéro de produit de base | BSP135 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | SIPMOS® | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 120mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 5 V | |
Fonction FET | Depletion Mode | |
Paquet/caisse | TO-261-4, TO-261AA | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 600 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 146 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 1.8W (Ta) | |
Autres noms | BSP135H6327XTSA1CT BSP135H6327XTSA1DKR BSP135H6327XTSA1TR SP001058812 |
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