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N-Channel 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-1 | |
Numéro de produit de base | BSC046 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 80A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 50A, 4.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6 nC @ 4.5 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
Vg (Max) | ±12V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 10 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) | |
Autres noms | BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1CT BSC046N02KSGAUMA1DKR BSC046N02KS GTR-ND BSC046N02KSG BSC046N02KS GCT-ND SP000379666 BSC046N02KS GTR BSC046N02KSGAUMA1TR BSC046N02KS GDKR BSC046N02KS GDKR-ND BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GCT |
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