TPN11006PL,LQ

MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
NOVA partie #:
312-2285394-TPN11006PL,LQ
Pièce de fabricant non:
TPN11006PL,LQ
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:

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N-Channel 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 175°C
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Numéro de produit de base TPN11006
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieU-MOSIX-H
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerVDFN
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1625 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale) 610mW (Ta), 61W (Tc)
Autres nomsTPN11006PL,LQ(S
264-TPN11006PLLQCT
264-TPN11006PLLQTR
264-TPN11006PLLQDKR

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