TPN7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
NOVA partie #:
312-2285598-TPN7R006PL,L1Q
Pièce de fabricant non:
TPN7R006PL,L1Q
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 60 V 54A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 175°C
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Numéro de produit de base TPN7R006
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieU-MOSIX-H
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 54A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerVDFN
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1875 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale) 630mW (Ta), 75W (Tc)
Autres noms264-TPN7R006PLL1QCT
264-TPN7R006PLL1QTR
TPN7R006PL,L1Q(M
264-TPN7R006PLL1QDKR

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