IPT010N08NM5ATMA1

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TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8

NOVA partie #:

312-2299069-IPT010N08NM5ATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPT010N08NM5ATMA1

Paquet Standard:

2,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-HSOF-8
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	43A (Ta), 425A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	223 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerSFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16000 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Autres noms	SP005560711 448-IPT010N08NM5ATMA1DKR 448-IPT010N08NM5ATMA1TR 448-IPT010N08NM5ATMA1CT