IPT020N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF

NOVA partie #:

312-2283563-IPT020N10N5ATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPT020N10N5ATMA1

Paquet Standard:

2,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-HSOF-8-1
Numéro de produit de base	IPT020
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™5
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	31A (Ta), 260A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 202µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerSFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	273W (Tc)
Autres noms	448-IPT020N10N5ATMA1DKR SP003883410 448-IPT020N10N5ATMA1TR 448-IPT020N10N5ATMA1CT