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SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
NOVA partie #:
312-2279719-SQP90142E_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQP90142E_GE3
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
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N-Channel 200 V 78.5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220AB | |
| Numéro de produit de base | SQP90142 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 78.5A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 250W (Tc) | |
| Autres noms | SQP90142E_GE3DKR-ND SQP90142E_GE3CT SQP90142E_GE3DKRINACTIVE SQP90142E_GE3TR-ND SQP90142E_GE3TR SQP90142E_GE3DKR SQP90142E_GE3CT-ND SQP90142E_GE3TRINACTIVE |
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