EPC2215

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
NOVA partie #:
312-2263133-EPC2215
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
EPC2215
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 200 V 32A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:EPC
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur Die
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 32A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.7 nC @ 5 V
Fonction FET-
Paquet/caisseDie
Vg (Max)+6V, -4V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1790 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale) -
Autres noms917-1218-2
917-1218-1
917-1218-6

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