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Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-3P(L) | |
Numéro de produit de base | 2SC5200 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-3PL | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | |
Fréquence - Transition | 30MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 230 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15 A | |
Type de transistor | NPN | |
Puissance - Max | 150 W | |
Autres noms | 2SC5200-O(Q)-ND 2SC5200-0(Q) SC5200-O (Q) 2SC5200-O-NDR 2SC5200OQ Q2143132 2SC5200-O(Q)INACTIVE Q8540368 2SC5200-OQ |
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