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Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaire (BJT) - Simple | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-3P(L) | |
Numéro de produit de base | TTA1943 | |
Série | - | |
Paquet/caisse | TO-3PL | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | |
Fréquence - Transition | 30MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 230 V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15 A | |
Type de transistor | PNP | |
Puissance - Max | 150 W | |
Autres noms | Q5861625A TTA1943Q |
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