FDMS86163P

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
NOVA partie #:
312-2281814-FDMS86163P
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDMS86163P
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:

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P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
Numéro de produit de base FDMS86163
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerTDFN
Vg (Max)±25V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4085 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Autres nomsFDMS86163PDKR
FDMS86163PTR
FDMS86163PCT

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